西门子G130变频器F0058代码维修
主要参数
⑴在截止状态时
①击穿电压Uceo和Ucex：能使集电极C和发射极E之间击穿的小电压。基极B开路是用 Uceo表示，B、E间接入反向偏压时用Ucex表示。在大多数情况下，这两个数据是相等的。
②漏电流Iceo 和 Icex：截止状态下，从C极流向E极的电流。B极开路时为 Iceo，B、E间反偏时为 Icex。
⑵在饱和状态时 
① 集电极大电流Icm：GTR饱和导通是的大允许电流。
② 饱和压降Uces：当GTR饱和导通时，C、E间的电压降。
⑶在开关过程中
① 开通时间Ton：从B极通入正向信号电流时起，到集电极电流上升到0.9 Ics 所需要的时间。
② 关断时间Toff：从基极电流撤消时起，至Ic下降至0.1 Ics 所需的时间
开通时间和关断时间将直接影响到SPWM调制是的载波频率。通常，使用GTR做逆变管时的载波频率底于2KHz。
4.变频器用GTR的选用
⑴Uceo 通常按电源线电压U峰值的2倍来选择。
Uceo≥2厂2U 在电源电压为380V的变频器中，应有 Uceo≥2厂2U*380V=1074.8V，故选用Uceo=1200V的GTR是适宜的。
⑵Icm 按额定电流In峰值的2倍来选择 Icm≥2厂2 In GTR是用电流信号进行驱动的，所需驱动功率较大，故基极驱动系统比较复杂，并使工作频率难以提高，这是其不足之处。今我告诉大家的是MOSFET以及IGBT
1、 功率场效应晶体管（POWER MOSFET） 它的3个极分别是源极S、漏极D和栅极G
其工作特点是，G、S间的控制信号是电压信号Ugs。改变Ugs的大小，主电路的漏极电流Id也跟着改变。由于G、S间的输入阻抗很大，故控制电流几乎为0，所需驱动功率很小。和GTR相比，其驱动系统比较简单，工作频率也比较高。MOSFET还具有热稳定性好、安全工作区大等优点。
功率场效应晶体管在提高击穿电压和增大电流方面进展较慢，故在变频器中的应用尚不能居主导地位。
2、 绝缘栅双极晶体管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相结合的产物，是栅极为绝缘栅结构（MOS结构）的晶体管，它的三个极分别是集电极C、发射极E和栅极G。
工作特点是，控制部分与场效应晶体管相同，控制信号为电压信号Uge,输入阻抗很高，栅极电流I≈0，故驱动功率很小。而起主电路部分则与GTR相同，工作电流为集电极电流I。
至今，IGBT的击穿电压也已做到1200V，集电极大饱和电流已超过1500A，由IGBT作为逆变器件的变频器容量已达到250KVA以上。
其工作频率可达20KHZ。由IGBT作为逆变器件的变频器的载波频率一般都在10KHZ以上，故电动机的电源波形比较平滑，基本无电磁噪声。
在变频器工作时，流过变频器的电流是很大的, 变频器产生的热量也是非常大的，不能忽视其发热所产生的影响
通常，变频器安装在控制柜中。我们要了解一台变频器的发热量大概是多少. 可以用以下公式估算: 发热量的近似值=变频器容量（KW）×55 [W]
在这里, 如果变频器容量是以恒转矩负载为准的 (过流能力150% * 60s)
如果变频器带有直流电抗器或交流电抗器, 并且也在柜子里面, 这时发热量会更大一些。电抗器安装在变频器侧面或测上方比较好。
这时可以用估算: 变频器容量（KW）×60 [W]
因为各变频器厂家的硬件都差不多, 上式可以针对各品牌的产品.
注意： 如果有制动电阻的话，因为制动电阻的散热量很大， 安装位置和变频器隔离开， 如装在柜子上面或旁边等。
那么, 怎样才能降低控制柜内的发热量呢?
当变频器安装在控制机柜中时，要考虑变频器发热值的问题。
根据机柜内产生热量值的增加，要适当地增加机柜的尺寸。要使控制机柜的尺寸尽量减小，就必须要使机柜中产生的热量值尽可能地减少。
如果在变频器安装时，把变频器的散热器部分放到控制机柜的外面，将会使变频器有70%的发热量释放到控制机柜的外面。由于大容量变频器有很大的发热量，对大容量变频器更加有效。
还可以用隔离板把本体和散热器隔开,使散热器的散热不影响到变频器本体。这样效果也很好。 注意：变频器散热设计中都是以垂直安装为基础的，横着放散热会变差的!
冷却风扇
一般功率稍微大一点的变频器， 都带有冷却风扇。也建议在控制柜上出风口安装冷却风扇。进风口要加滤网以防止灰尘进入控制柜。注意控制柜和变频器上的风扇都是要的，不能谁替代谁。
其他关于散热的问题
在海拔高于1000m的地方，因为空气密度降低，应加大柜子的冷却风量以改善冷却效果。理论上变频器也应考虑降容，1000m每-5%。但由于实际上因为设计上变频器的负载能力和散热能力一般比实际使用的要大，也要看具体应用。 比方说在1500m的地方，周期性负载，如电梯，就不必要降容。